斯格明子以创纪录的速度移动:迈向未来计算的一步

由 CNRS1 科学家领导的国际研究小组发现,被称为斯格明子的磁性Nano气泡2可以通过电流移动,速度达到创纪录的 900 m/s。

这些Nano气泡预计将成为计算机内存中的未来比特,为电子设备中的信息处理提供增强的途径。 它们的微小尺寸3提供了强大的计算和信息存储能力,以及低能耗。

到目前为止,这些Nano气泡的移动速度不超过 100 m/s,这对于计算应用来说太慢了。 然而,由于使用反铁磁材料4作为Medium,科学家们成功地使斯格明子的移动速度比之前观察到的快10倍。

这些结果发表在 3 月 19 日的《科学》杂志上,为开发更高性能和能耗更低的计算设备提供了新的前景。

这项研究是 1 月 29 日启动的 SPIN 国家研究计划的一部分,该计划支持自旋电子学的创新研究,旨在帮助开发一个更加敏捷和持久的数字世界。

注释:

1 – 参与的法国实验室包括 SPINTEC(CEA/CNRS/格勒诺布尔阿尔卑斯大学)、尼尔研究所(CNRS)和查尔斯库仑实验室(CNRS/蒙彼利埃大学)。

2——斯格明子由基本Nano磁体(“自旋”)组成,这些磁体缠绕形成高度稳定的螺旋结构,就像一个紧密的结。

3——斯格明子的大小可以达到几Nano,也就是说大约有十几个Atom。

4 — 反铁磁堆栈由两个Nano级铁磁层(例如钴)组成,两个Nano级铁磁层由具有相反磁化强度的非磁性层隔开。

5 — SPIN优先研究计划和设备(PEPR)是与法国2030年投资计划相关的探索性计划。

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